CMS23N06H8-HF
1个N沟道 耐压:60V 电流:23A 电流:125A
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- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CMS23N06H8-HF
- 商品编号
- C5599380
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A；23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.467nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的90 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为1800 MHz至2000 MHz，设计用于1427 MHz至1525 MHz、1805 MHz至1880 MHz和2110 MHz至2170 MHz频段。
商品特性
-超低导通电阻和栅极电荷。-先进的屏蔽栅极技术。
应用领域
适用于1427 MHz至1525 MHz、1805 MHz至1880 MHz和2110 MHz至2170 MHz频段基站和多载波应用的射频功率放大器。
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