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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BDV65
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 特征频率(fT) | - |
商品概述
BDV64（PNP）和BDV65（NPN）是采用TO - 3PN封装的硅达林顿互补功率晶体管，专为通用放大器和低速开关应用而设计。
商品特性
- 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus)最小值为60V
- 集电极 - 发射极饱和电压：在IC = 5A时，VCE(sat)最大值为2V
- 带有内置基极 - 发射极分流电阻的单片结构
- BFC237155273
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