商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 固态继电器(MOS输出) | |
| 连续负载电流 | 550mA | |
| 负载电压 | 60V | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 1Ω | |
| 隔离电压(Vrms) | 1.5kV | |
| 导通时间(Ton) | 300us | |
| 截止时间(Toff) | 2ms |
商品概述
B型输出。60V类型结合了高容量(0.55A)与低导通电阻(典型值1Ω)。由于内置MOSFET采用了专有的DSD(双扩散和选择性掺杂)方法处理,实现了低导通电阻。PhotoMOS具有极低的闭路偏移电压,可以无失真地控制低电平模拟信号。可以用5mA输入电流控制最大0.55A负载电流。典型的低导通电阻为1Ω(AQV412EH)。关态泄漏电流最大为1μA(AQV414E)。也有加强绝缘5000V类型可选。输入和输出之间的内部绝缘距离超过0.4毫米。符合EN41003、EN60950(加强绝缘)标准。
应用领域
- 电源供应
- 测量设备
- 安全设备
- 电话设备
- 传感设备
相似推荐
其他推荐
