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C3M0025065K
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- 描述
- 特性：C3M™ SiC MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qπ)。应用：EV充电器。 UPS
- 品牌名称
- WOLFSPEED
- 商品型号
- C3M0025065K
- 商品编号
- C5588735
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 178pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ |
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