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AP50T10GP
1个N沟道 耐压:100V 电流:37A
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- 描述
- AP50T10系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛功率应用的高效器件。TO - 220封装在所有商业工业通孔应用中广受青睐
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP50T10GP
- 商品编号
- C620381
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP50T10系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。 TO - 220封装在所有商业 - 工业通孔应用中广受青睐。低热阻和低封装成本使其成为全球流行的封装。
商品特性
-驱动要求简单-栅极电荷更低-开关特性快速-符合RoHS标准且无卤
- AP30T10GK
- AP10P500N
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