温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ120P03NS3GATMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ120P03NS3GATMA1
- 商品编号
- C5581629
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2200 MHz。
商品特性
- S3O8封装单P沟道
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 工作温度达150°C
- VGS = 25 V,特别适用于笔记本应用
- 无铅;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
-电池管理-负载开关
其他推荐
- CTVS06RF-23-35AC
- CTVPS00RF-21-16HD-LC
- BWLD00181010100M00
- BW-N3W5+
- ADTSM62SVTR
- CTVS07RF-25-4A
- AF0603FR-07383RL
- BT R 350/20
- BW-S3W10+
- ADTSM648SVTR
- BWLD001810101R0K00
- CTVS06RF-23-35S(LC)
- CTVPS00RF-21-29S-LC
- CTVS07RF-25-4B
- CTVS06RF-23-35SD-LC
- BT RC 350/20
- BW-S3W20+
- BWLD002417152R2K00
- ADTSM66RVTR
- CTVS07RF-25-61AE
- CTVPS00RF-21-35P (LC)