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BSZ120P03NS3GATMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ120P03NS3GATMA1
- 商品编号
- C5581629
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@6V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2200 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于2110 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器
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