BUK9Y1R6-40H,115

采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用坚固的LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具备高性能和耐用性。

• 完全符合AEC-Q101汽车级标准
• 额定温度达175 °C，适用于对散热要求高的环境
• Trench 9超结技术：
  • 减小的单元间距可在相同封装尺寸下降低导通电阻RDSon，提高功率密度和效率
  • 与标准TrenchMOS相比，改善了安全工作区（SOA）和雪崩能力
  • 紧密的VGS(th)限值使MOSFET易于并联
• LFPAK鸥翼引脚：
  • 具有高电路板级可靠性，在热循环过程中能吸收机械应力，这与传统QFN封装不同
  • 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
  • 易于实现良好的机械焊点的焊料润湿性
• LFPAK铜夹技术：
  • 提高可靠性，降低热阻Rth和导通电阻RDSon
  • 增加最大电流能力，改善电流分布

• 12 V汽车系统
• 电机、灯具和电磁阀控制
• 启停微混合动力应用
• 变速箱控制
• 超高性能功率开关