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STB15810

1个N沟道 耐压:100V 电流:110A 停产

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描述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STB15810
商品编号
C620154
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
2.31克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V,55A
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)8.115nF@50V
反向传输电容(Crss)67pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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