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AFBR-S4N44P164M实物图
  • AFBR-S4N44P164M商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AFBR-S4N44P164M

AFBR-S4N44P164M

品牌名称
Broadcom(博通)
商品型号
AFBR-S4N44P164M
商品编号
C5581204
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录光电二极管
直流反向耐压(Vr)16V
峰值波长420nm
属性参数值
频谱范围250nm~900nm
暗电流3.3uA
工作温度-20℃~+50℃

商品概述

博通AFBR - S4N44P164M是一款4×4硅光电倍增管(SiPM)阵列,用于单光子的超灵敏精密测量。该SiPM基于NUV - MT技术,与NUV - HD技术相比,它结合了更高的光电探测效率(PDE)、更低的暗计数率和更低的串扰。SiPM在两个方向上的间距均为4mm。通过拼接多个AFBR - S4N44P164M阵列,可覆盖更大面积,间距为16mm,且几乎无边缘损耗。为保证良好的机械稳定性和坚固性,采用环氧透明模塑料封装,其对紫外线波长具有高透明度,在可见光光谱中具有广泛响应,对光谱的蓝色和近紫外区域具有高灵敏度。该阵列最适合检测低水平脉冲光源,尤其适用于检测最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料(如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr₃)发出的切伦科夫光或闪烁光。该产品无铅且符合RoHS标准。

商品特性

  • 4×4 SiPM阵列
  • 阵列尺寸:16.00mm×16.00mm
  • 在420nm处具有63%的高PDE
  • 出色的单光子时间分辨率(SPTR)和符合时间分辨率(CRT)
  • 击穿电压均匀性极佳
  • 增益均匀性极佳
  • 四边可拼接,填充因子高
  • 单元间距:40μm
  • 高度透明的环氧保护层
  • 工作温度范围:-20°C至+50°C
  • 符合RoHS、CFM和REACH标准

应用领域

X射线和伽马射线检测、核医学、正电子发射断层扫描、安全与安保、物理实验、切伦科夫光检测

数据手册PDF