BQ2203APN
非易失性控制器带电池监测
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- 描述
- 提供SRAM的非易失性控制所需的所有功能，包括电源监控和切换、写保护控制、系统上电复位等。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- BQ2203APN
- 商品编号
- C5577930
- 商品封装
- PDIP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 4.75V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
具备电池监测功能的CMOS bq2203A SRAM非易失性控制器，可为将一组或两组标准CMOS SRAM转换为非易失性读写存储器提供所有必要功能。bq2203A符合个人计算机存储卡国际协会（PCMCIA）对电池供电静态RAM存储卡的建议。 精密比较器会监测5V VCC输入是否超出容差范围。当检测到超出容差时，两个经过处理的片选输出将被强制置为无效，以对SRAM组进行写保护。 当VCC电压下降时，外部SRAM的电源会从VCC电源切换到备用电池电源。在后续上电时，VOUT电源会自动从备用电源切换回VCC电源。在电源有效状态建立之前，外部SRAM处于写保护状态。复位输出可为系统提供掉电和上电复位信号。电池监测器可指示电池电量低和电池故障状态。 在电源有效运行期间，输入解码器会选择两组SRAM中的一组。
商品特性
- 用于SRAM非易失性控制的电源监测与切换
- 写保护控制
- 电池电量低和电池故障指示
- 用于系统上电复位的复位输出
- 用于控制多达两组SRAM的输入解码器
- 3伏原电池输入
- 3伏可充电电池输入/输出
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