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TK58E06N1,S1X(S
N沟道MOS（U-MOSVII-H）
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK58E06N1,S1X(S
- 商品编号
- C5555030
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.12nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 4.4 mΩ（典型值）（栅源电压 (VGS) = 10 V）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流 (IDSS) = 10 μA（最大值）（漏源电压 (VDS) = 60 V）
- 增强型：阈值电压 (Vth) = 2.0 至 4.0 V（漏源电压 (VDS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 0.5 mA）
应用领域
-开关稳压器
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