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BSS138WQ-7-F
1个N沟道 耐压:50V 电流:280mA
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、电源管理功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS138WQ-7-F
- 商品编号
- C5565065
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS V®是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可将JFET效应降至最低，提高封装密度并降低导通电阻。Power MOS V®还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-电机控制-电源管理功能
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