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DMN6066SSSQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6066SSSQ-13
- 商品编号
- C5563871
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 502pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.1pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术
- 低 RDS(on)
- 逻辑驱动
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 家庭自动化与物联网-VOIP应用
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