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IXFK180N15P
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 非钳位电感开关（UIS）额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFK180N15P
- 商品编号
- C5562514
- 商品封装
- TO-264-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 830W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 515pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪声能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。
商品特性
~~- 快速开关且电磁干扰低-低反向恢复时间(trr),可靠性高-超低Crss,增强抗噪声能力-低栅极电荷-有雪崩能量额定值-符合RoHS标准
应用领域
- 零电压开关（ZVS）移相桥和其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）和其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路