温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ADRF5519BCPZN
双通道2.3 GHz至2.8 GHz 20W接收前端
- 描述
- 集成双通道射频前端多芯片模块，设计用于时分双工（TDD）应用，工作频率范围为2.3 GHz至2.8 GHz。配置为双通道，具有级联两阶段低噪声放大器（LNA）和高功率硅单刀双掷（SPDT）开关。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADRF5519BCPZN
- 商品编号
- C5555954
- 商品封装
- LFCSP-40-VQ(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频前端芯片 | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 频率 | 2.3GHz~2.8GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 应用领域 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品特性
- 集成双通道射频前端
- 两段式低噪声放大器和高功率硅SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源工作
- 在T_CASE = 105℃时具有高功率处理能力
- LTE平均功率（9 dB PAR）全寿命：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：2.6 GHz时典型值为35 dB
- 低增益模式：2.6 GHz时典型值为14 dB
- 低噪声系数
- 高增益模式：2.6 GHz时典型值为1.0 dB
- 低增益模式：2.6 GHz时典型值为1.0 dB
- 高隔离度
- RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为45 dB
- TERM-CHA和TERM-CHB：典型值为60 dB
- 低插入损耗：2.6 GHz时典型值为0.5 dB
- 高OIP3：典型值为32 dBm
- 关断模式和低增益模式
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V时典型值为110 mA
- 低增益模式：5 V时典型值为36 mA
- 关断模式：5 V时典型值为12 mA
- 正逻辑控制
- 6 mm x 6 mm，40引脚LFCSP封装
- 引脚兼容ADRF5545A和ADRF5549 10 w版本
应用领域
- 无线基础设施
- 基于TDD的 Massive MIMO和有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
交货周期
订货25-27个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单