ALD2331SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20pA | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | 80dB | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 输出模式 | NMOS;TTL;CMOS | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
ALD2331A/ALD2331B/ALD2331 是一种采用先进硅栅EPAD CMOS技术构建的、高性能双精度电压比较器,适用于高精度模拟应用。ALD2331A/ALD2331B/ALD2331 提供超低输入失调电压和电流的输入前置放大器、高精度电压比较器和高电流输出驱动器,集成在单个行业标准引脚封装的 8 引脚 PDIP 或 SOIC 封装中。主要特性包括:非常高的典型输入阻抗为 10^12 Ω;低输入偏置电流为 10 pA;仅 10 mV 输入阶跃信号时的快速响应时间为 750 ns;每个比较器的功耗非常低,为 55 μA;以及单 (+5 V) 或双 (±5 V) 电源供电;以及 50 mA 开漏输出驱动器。
输入电压范围包括地,使该比较器非常适合具有高源阻抗的低电平信号检测。输出为开漏配置,可实现最大的应用灵活性,例如接线或连接和各种不同的输出负载。虽然每个输出都需要一个外部上拉电阻,但上拉电阻的值可以根据应用需求在较宽范围内变化。输出可以连接到高于 V+ 的外部电压。
ALD2331A/ALD2331B/ALD2331 非常适合各种高精度模拟电压比较器应用,尤其是在需要低待机功耗,同时又保持高输出电流能力的低电平信号检测电路中。
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