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25LC256-I/SM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

25LC256-I/SM

25LC256-I/SM

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描述
256K位SPI串行EEPROM,支持32,768个8位字节组织,具有64字节页写入功能,自定时擦除和写入周期,块写保护功能,高可靠性,1,000,000次擦写寿命,数据保留超过200年。
商品型号
25LC256-I/SM
商品编号
C616095
商品封装
SOIC-8-208mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.289克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量256Kbit
时钟频率(fc)10MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
写周期寿命100万次
属性参数值
功能特性硬件写保护功能;内置上电复位(POR);掉电/上电保护电路;内置写使能锁存器(WEL)
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流6mA
待机电流1uA
读取访问时间(tA)-

商品概述

25AA256/25LC256 (25XX256) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及独立的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过片选 (CS) 输入控制对设备的访问。可通过保持引脚 (HOLD) 暂停与设备的通信。当设备暂停时,除片选外,其输入上的转换将被忽略,允许主机处理更高优先级的中断。25XX256 有标准封装(如 8 引脚 PDIP 和 SOIC)和先进封装(如 8 引脚 DFN 和 8 引脚 TSSOP)。提供无铅(纯锡)表面处理。

商品特性

  • 最大时钟频率 10 MHz
  • 低功耗 CMOS 技术
  • 最大写入电流:5.5V、10 MHz 时为 5 mA
  • 读取电流:5.5V、10 MHz 时为 6 mA
  • 待机电流:5.5V 时为 1 μA
  • 32,768 x 8 位组织
  • 64 字节页
  • 自定时擦除和写入周期(最大 5 ms)
  • 块写入保护:可选择不保护、保护 1/4、1/2 或全部阵列
  • 内置写入保护:上电/掉电数据保护电路、写入使能锁存器、写保护引脚
  • 顺序读取
  • 高可靠性:擦除/写入循环次数达 1,000,000 次、数据保留时间超过 200 年、ESD 保护超过 4000 V
  • 支持的温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)、汽车级 (-40°C 至 +125°C)
  • 提供无铅封装

数据手册PDF