AT24C512C-SSHD-B
兼容I2C的512 Kbit串行EEPROM
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- 描述
- 特性:低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8(512K)。工业温度范围:-40°C 至 +85°C
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- AT24C512C-SSHD-B
- 商品编号
- C615465
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 低电压和标准电压操作:
- VCC = 1.7V 至 3.6V
- VCC = 2.5V 至 5.5V
- 内部组织为 65,536×8 (512K)
- 工业温度范围:-40℃ 至 +85℃
- I²C 兼容(两线)串行接口:
- 100 kHz 标准模式,1.7V 至 5.5V
- 400 kHz 快速模式,1.7V 至 5.5V
- 1 MHz 快速模式加 (FM+),2.5V 至 5.5V
- 施密特触发器,滤波输入用于噪声抑制
- 双向数据传输协议
- 写保护引脚,用于全阵列硬件数据保护
- 超低工作电流(最大 3 mA)和待机电流(最大 μA)
- 128 字节页写模式:
- 允许部分页写入
- 随机和顺序读取模式
- 自定时写周期,最大 5 ms
- ESD 保护 > 4,000V
- 高可靠性:
- 耐久性:1,000,000 次写循环
- 数据保留:100 年
- 绿色封装选项(无铅/无卤/符合 RoHS)
- 裸片销售选项:晶圆形式和卷带式包装可用
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