6116SA25SOGI8
6116SA25SOGI8
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 6116SA25SOGI8
- 商品编号
- C5517490
- 商品封装
- SOIC-24
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 100mA | |
| 待机电流 | 2mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT6116SA/LA是一款16384位高速静态随机存取存储器，组织形式为2K×8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。 访问时间最快可达15ns。该电路还提供低功耗待机模式。当片选信号CS变为高电平时，只要CS保持高电平，电路将自动进入并保持在待机功耗模式。这种能力可显著节省系统级的功耗和散热成本。低功耗（LA）版本还具备电池备份数据保留功能，在2V电池供电下，电路通常仅消耗1μW至4μW的功率。 IDT6116SA/LA的所有输入和输出均与TTL兼容。采用全静态异步电路，操作无需时钟或刷新。 IDT6116SA/LA采用24引脚300mil塑料双列直插式封装、24引脚600mil和300mil陶瓷双列直插式封装或24引脚鸥翼式SOIC封装，可提供高电路板级封装密度。
商品特性
- 高速访问和片选时间：
- 商用：15/20/25ns（最大）
- 工业用：20/25ns（最大）
- ：20/25/35/45/55/70/90/120/150ns（最大）
- 低功耗
- 电池备份操作：仅LA版本具有2V数据保留电压
- 采用先进的CMOS高性能技术制造
- CMOS工艺几乎消除了α粒子软错误率
- 输入和输出直接与TTL兼容
- 静态操作：无需时钟或刷新
- 提供陶瓷24引脚DIP、陶瓷和塑料24引脚薄型DIP以及24引脚SOIC封装
- 工业温度范围（-40°C至+85°C）适用于选定速度
- 提供环保产品，详见订购信息