商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRF6725MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有MICRO - 8尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，将先前的最佳热阻降低80%。 IRF6725MPbF在低电阻和低电荷之间取得平衡，同时具备超低的封装电感，可降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6725MPbF针对同步降压操作中至关重要的参数（包括Rds(on)和栅极电荷）进行了优化，这些参数适用于12伏总线转换器，以实现损耗最小化。
商品特性
- 超薄外形（<0.7 mm）
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 针对同步FET和部分控制FET应用进行优化
- 低传导和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行Rg测试
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