商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.35nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。
- 抗雪崩能力有保证。
应用领域
- 电机驱动
- DC / DC转换器
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