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2N7002EQ-13-F
1个N沟道 耐压:60V 电流:292mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2N7002EQ-13-F
- 商品编号
- C5496388
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 292mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT12N60和AOTF12N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），以及有保证的雪崩能力，这些器件能够快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 2N7002EQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能