- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N656S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了NPN型硅中功率晶体管的性能要求，适用于封装器件提供一种产品保证级别（JAN）。器件封装外形为TO - 205AA（原改进型TO - 5，无后缀S）或TO - 205AD（原改进型TO - 39，有后缀S）。除非另有规定，环境温度TA = +25°C。对于TA > +25°C，线性降额4.6 mW/°C；对于Tc > +25°C，线性降额23 mW/°C。引脚编号符合MIL - PRF - 19500及相关规定。
商品特性
- 适用于NPN型硅中功率晶体管
- 提供JAN产品保证级别
- 封装有TO - 205AA或TO - 205AD可选
- 不同温度条件下有线性降额要求