2SK2157C-T1-AZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2157C-T1-AZ
- 商品编号
- C5496140
- 商品封装
- TO-243AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF |
商品特性
- 可由2.5V电源直接驱动。
- 低导通电阻
- RDS(on)1最大为63mΩ(VGS = 4.5V,ID = 2.0A)
- RDS(on)2最大为65mΩ(VGS = 4.0V,ID = 2.0A)
- RDS(on)3最大为91mΩ(VGS = 2.5V,ID = 2.0A)
应用领域
- 标准级：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人
- 高质量级：运输设备（汽车、火车、轮船等）；交通控制系统；防灾系统；防盗系统；安全设备；非专门用于生命支持的医疗设备