商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W;58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 90 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV;1.5V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5.5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
这款高速晶体管额定电流为5安培,达到了JANTXV级别的。该TO - 59隔离封装提供180度引脚方向。美高森美(Microsemi)还提供众多其他产品,以满足更高和更低功率的电压调节应用需求。
商品特性
- JEDEC注册型号2N5003和2N5005。
- 提供内部冶金键合选项。
- 可提供符合MIL - PRF - 19500/535标准的JAN、JANTX和JANTXV级产品。
- 有符合RoHS标准的版本(仅商业级)。
应用领域
- 具备快速开关能力 - 上升时间0.5 μs。
- 高频响应。
- 带隔离端子的TO - 59外壳。
- 符合MIL - STD - 750方法1020的3B类静电放电防护。


