1N827E3/TR
1N827E3/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 1N827E3/TR
- 商品编号
- C5490373
- 商品封装
- DO-35(DO-204AH)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 稳压二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 稳压值(标称值) | 6.2V | |
| 反向电流(Ir) | 2uA@3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 稳压值(范围) | 5.9V~6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阻抗(Zzt) | 15Ω | |
| 工作结温范围 | -65℃~+175℃ |
商品概述
该齐纳二极管是单片温度补偿齐纳参考芯片，所有结均采用二氧化硅完全保护，电气性能等同于1N821至1N829，除回流焊外与所有引线键合和芯片粘贴技术兼容。工作温度范围为 -65°C至 +175°C，储存温度范围同样为 -65°C至 +175°C。反向泄漏电流在25°C且反向电压为3V直流时为2μA。齐纳阻抗是通过在齐纳测试电流上叠加一个等于其10%的60Hz均方根交流电流得出。二极管电压在整个温度范围内的最大允许变化不超过JEDEC标准No.5规定的毫伏数。芯片正面金属化，阴极、阳极和测试焊盘均为铝，背面为金，铝厚度最小25,000Å，金厚度最小4,000Å，芯片厚度为0.010英寸（0.25 mm）±0.002英寸（±0.05 mm）。
商品特性
- 单片温度补偿齐纳参考芯片
- 所有结采用二氧化硅完全保护
- 电气性能等同于1N821至1N829
- 除回流焊外与所有引线键合和芯片粘贴技术兼容