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WMB128N10T2
WMB128N10T2
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB128N10T2
- 商品编号
- C607956
- 商品封装
- DFN-8-EP(6.1x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 126W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.745nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WMB128N10T2采用先进的功率沟槽技术，该技术经过专门优化，可在最大限度降低导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 128 A（硅极限）
- 在VGS = 10 V时，RDS(on) < 4.2 mΩ
- 提供环保器件
- 100%保证EAS
- 针对高速平稳开关进行优化
应用领域
- 硬开关和高速电路-DC/DC转换-电动工具-不间断电源(UPS)-固态继电器(SSR)