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FDPF10N60NZ
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- UniFETTM II MOSFET是高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETTM II MOSFET产品可承受超过2kV的HBM静电冲击应力。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF10N60NZ
- 商品编号
- C62848
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.475nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFETTM II MOSFET是高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETTM II MOSFET产品可承受超过2kV的HBM静电冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
商品特性
- Rₒₛ(ₒₙ)=640 mΩ（典型值），V₍ₒₓ₎ = 10 V，Iₒ = 5 A
- 低栅极电荷（典型值23 nC）
- 低Cᵣₛₛ（典型值10 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt处理能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/ LED/ PDP TV
- 照明
- 不间断电源