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SVF6N60F
1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
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- 描述
- N沟道,600V,6A,1.5Ω@10V
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF6N60F
- 商品编号
- C62725
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 690.7pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SVF6N60F/D/FQ是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 6A、600V，RDS（导通（典型值）） = 1.35 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器