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PESDUC2FD3V3B

双向ESD 3.3V截止

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描述: PESDUC2FD3V3B静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，在电路板级保护方面具有理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为3.3伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板上。
品牌名称: Prisemi(芯导)
商品型号: PESDUC2FD3V3B
商品编号: C5457215
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

商品概述

PESDUC2FD3V3B静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，在电路板级保护方面具有理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为3.3伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板上。

商品特性

超低电容0.35pF
DFN1006 - 2L封装
可替代MLV（0402）
双向配置
典型响应时间 < 1ns
保护一条I/O或电源线
低钳位电压
符合RoHS标准
数据线瞬态保护符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）±25kV（空气）、±25kV（接触）；IEC61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）

应用领域

手机及配件
个人数字助理（PDA）
笔记本电脑、台式电脑和服务器
便携式仪器
无绳电话
数码相机
外设
MP3播放器

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	19V
	峰值脉冲功率(Ppp)	45W@8/20us
	击穿电压	4.8V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	工作温度	-55℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.2pF