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SSM6J801R,LF实物图
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SSM6J801R,LF

P沟道 20V 24A

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描述
特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.4 mΩ(最大值)(VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 56.0 mΩ(最大值)(VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 39.7 mΩ(最大值)(VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 32.5 mΩ(最大值)(VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6J801R,LF
商品编号
C5457023
商品封装
TSOP-6F​
包装方式
编带
商品毛重
0.069克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))32.5mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)840pF
反向传输电容(Crss)99pF
类型P沟道
输出电容(Coss)118pF

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