温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM6J801R,LF
P沟道 20V 24A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.4 mΩ（最大值）(VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）(VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 39.7 mΩ（最大值）(VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 32.5 mΩ（最大值）(VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J801R,LF
- 商品编号
- C5457023
- 商品封装
- TSOP-6F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品特性
- 1.5 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 88.4 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.5 V)
- RDS(ON) = 56.0 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 39.7 mΩ(最大值)(@ VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 32.5 mΩ(最大值)(@ VGS = -4.5 V)
应用领域
- 电源管理开关