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PJA3439-AU_R1_000A1
1个P沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3439-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C5454403
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 51pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AD-CJU04N65是一款N沟道功率MOSFET，采用先进技术为客户提供平面条纹结构。该技术专门用于实现最小导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。AD-CJU04N65广泛应用于高效开关电源。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 - 10 V、漏极电流(ID)为 - 500 mA 时,导通电阻(RDS(ON))< 4 Ω
- 栅源电压(VGS)为 - 4.5 V、漏极电流(ID)为 - 200 mA 时,导通电阻(RDS(ON))< 6 Ω
- 栅源电压(VGS)为 - 2.5 V、漏极电流(ID)为 - 50 mA 时,导通电阻(RDS(ON))< 13 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
- 通过 AEC - Q101 认证
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物
应用领域
- 功率开关应用
- DC/DC转换器