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MPG60N10P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPG60N10P

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

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描述
MPG60N10P采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MPG60N10P
商品编号
C5452756
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.5895克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))14.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)160W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)3.72nF
反向传输电容(Crss)183pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)225pF

商品概述

MPG60N10P采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 100 V, ID = 60 A
  • RDS(ON)< 16.5 m Ω@ VGS=10 V
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术
  • 高密度单元设计,可降低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行DVDS测试!

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF