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MPG30P10P
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- MPG30P10P采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG30P10P
- 商品编号
- C5452753
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。得益于开关性能和导通性能之间的出色平衡，它在谐振开关拓扑中具有很高的效率。 超快体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。它采用TO - 247封装。
商品特性
- 650V击穿电压
- 超低RDS - ON和品质因数（FOM）
- 超快体二极管
- 快速开关
应用领域
- 服务器电源-电信电源-电动汽车充电器-电机驱动器