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RU20P7C
P沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：-20V / -5A，RDS(ON) = 20mΩ（典型值）@VGS = -4.5V；RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS = -2.5V。 低导通电阻。 超高密度单元设计。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：负载开关。 电源管理
- 品牌名称
- INJOINIC(英集芯)
- 商品型号
- RU20P7C
- 商品编号
- C605444
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V；30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- -20V/-5A
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 30 mΩ（典型值）
- 低导通电阻
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 负载开关-电源管理-电池保护
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