HMC337-SX

GaAs MMIC次谐波混频器芯片，17 - 25 GHz

描述: HMC337芯片是一种次谐波泵浦（x2）混频器，集成了LO放大器，可用作上变频器或下变频器。该芯片采用GaAs PHEMT技术，芯片面积为1.28mm²。2LO到RF的隔离度非常好，无需额外滤波。LO放大器为单偏置（+3V至+4V）两阶段设计，仅需-5 dBm标称驱动要求。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC337-SX
商品编号: C605661
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HMC337芯片是一款次谐波泵浦（×2）的单片微波集成电路（MMIC）混频器，集成了本振（LO）放大器，可用作上变频器或下变频器。该芯片采用砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs PHEMT）技术，使芯片整体面积仅为1.28平方毫米。二次本振（2LO）与射频（RF）之间的隔离度极佳，无需额外滤波。本振放大器采用单偏置（+3V至+4V）两级设计，标称驱动功率仅需 -5 dBm。

商品特性

集成本振放大器：输入功率 -5 dBm
次谐波泵浦（×2）本振
高2LO/RF隔离度：>25 dB
芯片尺寸：1.32×0.97×0.1 mm

应用领域

18 GHz和23 GHz微波无线电
点对点无线电上变频器和下变频器
卫星通信系统

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	属性	参数值
	商品目录	RF混频器
	RF频率范围	17GHz~25GHz
	IF频率范围	0Hz~3GHz
	LO频率范围	8.5GHz~12.5GHz
	通道数	-
	P1dB	0dBm
	IP3	10dBm
	隔离度(L-R)	30dB

	属性	参数值
	隔离度(L-I)	50dB
	增益/损耗	-9dB
	噪声系数	9dB
	工作电压	3V~4V
	工作电流	28mA
	工作温度	-55℃~+85℃
	功能特性	频率倍频/分频；集成本振缓冲器