HMC579

HMC579裸片是一款采用砷化镓假晶高电子迁移率晶体管（GaAs PHEMT）技术的x2有源宽带倍频器。当由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在32至46 GHz频率范围内可提供典型值为+13 dBm的输出功率。在38 GHz时，基频（Fo）隔离度大于25 dBc。HMC579非常适合用于点对点（Pt to Pt）和甚小口径终端（VSAT）无线电的本振（LO）倍频链，与传统方法相比，可减少元件数量。在偏移100 kHz处，低附加单边带（SSB）相位噪声为 -127 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。

• 高输出功率：+13 dBm
• 低输入驱动功率：0至+6 dBm
• 基频隔离度：在输出频率（Fout）为38 GHz时大于25 dBc
• 100 kHz单边带相位噪声： -127 dBc/Hz
• 单电源：+5V，电流70 mA
• 裸片尺寸：1.18 mm × 1.23 mm × 0.1 mm

• 时钟生成应用：同步光网络（SONET）OC - 192和同步数字体系（SDH）STM - 64
• 点对点和甚小口径终端无线电
• 测试仪器