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IRF7324TR(UMW)
P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=-20V。 RDS(ON)<18mΩ(VGS =-4.5V)。 RDS(ON)<26mΩ(VGS =-2.5V)。 Trench Technology Ultra Low On- Resistance。 Low Profile (<1.1mm)。 Available in Tape & Reel。 2.5V Rated。 Lead- Free
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7324TR(UMW)
- 商品编号
- C5447651
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 630pF |
商品特性
- 漏源电压 V_DS(V) = -20V
- 漏极电流 I_D = -9A
- 导通电阻 R_DS(ON) < 18mΩ (栅源电压 V_GS = -4.5V)
- 导通电阻 R_DS(ON) < 26mΩ (栅源电压 V_GS = -2.5V)
- 沟槽技术
- 超低导通电阻
- 低外形 (<1.1mm)
- 提供卷带包装
- 2.5V 额定电压
- 无铅