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DMC1028UFDB-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 耐压:20V 电流:3.4A 电流:6A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC1028UFDB-7
- 商品编号
- C5447390
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,5.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 787pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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