DMC1028UFDB-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 耐压:20V 电流:3.4A 电流:6A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC1028UFDB-7
- 商品编号
- C5447390
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V;12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A;3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 787pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型设计,最大高度0.6mm
- ESD人体模型(HBM)防护高达1.5kV,机器模型(MM)防护高达150V
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 针对负载点(POL)同步降压转换器进行优化,可将3.3V降压至1V,为ASIC提供核心电压
- 路由器
- 开关
- 网络接口控制器(NIC)
- 数字用户线路(DSL)
- 机顶盒(STB)
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