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DMC1028UFDB-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMC1028UFDB-7

1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 耐压:20V 电流:3.4A 电流:6A

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描述
此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMC1028UFDB-7
商品编号
C5447390
商品封装
UDFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.031733克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V;12V
连续漏极电流(Id)6A;3.4A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.36W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)18.5nC@8V
输入电容(Ciss)787pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 薄型设计,最大高度0.6mm
  • ESD人体模型(HBM)防护高达1.5kV,机器模型(MM)防护高达150V
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 针对负载点(POL)同步降压转换器进行优化,可将3.3V降压至1V,为ASIC提供核心电压
  • 路由器
  • 开关
  • 网络接口控制器(NIC)
  • 数字用户线路(DSL)
  • 机顶盒(STB)

数据手册PDF