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PJM08C30PA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=30V,ID=5.8A,，RDS(ON) <31mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-30V,ID=-4.1A,，RDS(ON) <60mΩ@Vgs=-10V,低内阻,低输出电容，开关速度快
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM08C30PA
- 商品编号
- C5445031
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V；12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF；485.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF；65.2pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
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