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LM74722QDRRRQ1

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描述: LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器(GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35μA （最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 μA （最大值）。该器件具有可调节过压切断保护或使用 OV 引脚的过压钳位保护。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74722QDRRRQ1
商品编号: C5441543
商品封装: WSON-12-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.199836克(g)

商品参数

商品概述

LM74722 - Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源电压可保护和控制12V和24V汽车类电池供电的ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 - 65V的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器(GATE)可驱动第一个MOSFET来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如ISO16750或LV124）期间实现稳健、高效的MOSFET开关性能，期间ECU会收到输入短时中断以及频率高达200kHz的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流35μA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个MOSFET的情况下，该器件允许使用EN引脚实现负载断开控制。在EN处于低电平时，静态电流降至3.3μA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护或使用OV引脚的过压钳位保护。

商品特性

具有符合AEC - Q100标准的下列特性
器件温度等级1： - 40°C至 + 125°C环境工作温度范围
器件HBM ESD分类等级2
器件CDM ESD分类等级C4B
3V至65V输入范围
反向输入保护低至 - 65V
低静态电流：运行时35μA（最大值）
3.3μA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
13mV阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
驱动外部背对背N沟道MOSFET
集成型30mA升压稳压器
高达200kHz的有源整流
快速响应反向电流阻断：0.5μs
快速正向GATE导通延迟：0.72μs
可调节过压保护
采用合适的TVS二极管，符合汽车ISO7637瞬态要求
采用节省空间的12引脚WSON封装

应用领域

汽车电池保护
ADAS域控制器
出色的音频放大器
音响主机

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3V~65V
	反向耐压	65V
	FET类型	外置FET

	属性	参数值
	栅极驱动电压	13V
	正向压降(Vf)	18.7mV
	静态电流(Iq)	35uA
	工作温度	-40℃~+150℃