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IPD90N10S4L06ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
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- 描述
- 特性：N-channel-Enhancement mode。 AEC qualified。 MSL1 up to 260°C peak reflow。 175°C operating temperature。 Green Product (RoHS compliant)。 100% Avalanche tested
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD90N10S4L06ATMA1
- 商品编号
- C5440942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V,90A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.25nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.18 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.8 至 4.2 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 升压 PFC 开关、单端反激或双晶体管正激、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥拓扑
- 电脑电源、适配器、液晶与等离子电视、LED 照明、服务器电源、电信电源和 UPS 应用