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IXDF602SIA

2安培双路低侧超快MOSFET驱动器

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描述: 特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流，同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不受闩锁影响。专有电路消除了交叉传导和电流“直通”。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。有双非反相驱动器、双反相驱动器以及一个反相和一个非反相驱动器等配置。提供标准8引脚DIP（PI）、8引脚SOIC（SIA）、带有外露金属背的8引脚Power SOIC（SI）和8引脚DFN（D2）封装。
品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IXDF602SIA
商品编号: C5440416
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

商品概述

IXDF602/IXDI602/IXDN602双高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流，同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁。专有电路消除了交叉导通和电流“直通”。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间使IXD_602系列非常适合高频和高功率应用。IXDN602配置为双非反相驱动器，IXDI602配置为双反相驱动器，而IXDF602则有一个反相驱动器和一个非反相驱动器。IXD_602系列有标准8引脚DIP（PI）、8引脚SOIC（SIA）、带外露金属背面的8引脚Power SOIC（SI）和8引脚DFN（D2）封装。

商品特性

2A峰值源/灌驱动电流
宽工作电压范围：4.5V至35V
-40°C至+125°C扩展工作温度范围
逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
输出可并联以获得更高的驱动电流
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低10μA电源电流
低输出阻抗

应用领域

高效功率MOSFET和IGBT开关
开关模式电源
电机控制
DC-DC转换器
D类开关放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	4.5V~35V
	上升时间(tr)	7.5ns
	下降时间(tf)	6.5ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	35ns
	传播延迟 tpHL	38ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3V
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	10uA
	功能特性	交错导通保护