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KM3139K
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- KM3139K
- 商品编号
- C5438457
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 510mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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