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RQ3E100GNTB
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E100GNTB
- 商品编号
- C600682
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率封装(HSMT8)。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试。
应用领域
- 开关应用