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2SK209-GR(TE85L,F)

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属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
FET类型N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)1.5V@100nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)50V
功率(Pd)150mW
属性参数值
漏源导通电阻(RDS(on))-
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)14mA@10V
输入电容(Ciss@Vds)13pF@10V
工作温度-

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