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TF21834M-TUH

半桥栅极驱动器

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描述: 驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称: TFSS(德律风根)
商品型号: TF21834M-TUH
商品编号: C5382739
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.787克(g)

商品参数

商品概述

TF2183(4)M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压工艺使TF2183(4)M的高端在自举操作中可切换至600V。 TF2183(4)M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。TF2183(4)M具有400ns（典型值）的固定内部死区时间。 TF2183M采用SOIC-8(N)封装，TF21834M采用SOIC-14(N)封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
1.9A源电流/2.3A灌电流输出能力
输出可耐受负瞬变
400ns内部死区时间，保护MOSFET
宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
逻辑输入（HIN和LIN*）支持3.3V
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器欠压锁定
扩展温度范围：-40℃至+125℃

应用领域

直流-直流转换器
交流-直流逆变器
电机控制
D类功率放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.3A
	拉电流(IOH)	1.9A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	180ns
	传播延迟 tpHL	220ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	1.6mA