温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFPE50
1个N沟道 耐压:800V 电流:7.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFPE50
- 商品编号
- C5381781
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGM635E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 漏极电流:ID = 7.8 A(TC = 25℃时)
- 漏源电压:VDSS = 800 V(最小值)
- 静态漏源导通电阻:RDS(on) = 1.2 Ω(最大值,VGS = 10V时)
- 经过100%雪崩测试
- 批次间差异极小,确保器件性能稳定、运行可靠
应用领域
- 开关电源、转换器、交流和直流电机控制。