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AO3415

耐压:20V 电流:4A

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私有库下单最高享92折
描述
特性:VDS = -20V,ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD 额定值:2500V HBM。应用:负载/电源开关。 接口开关
商品型号
AO3415
商品编号
C5380662
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))900mV
栅极电荷量(Qg)10.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.1811nF
反向传输电容(Crss)114.8pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

ATM06P50TC是一款P沟道功率MOSFET,采用先进技术,可为客户提供高开关速度和极小的导通电阻,还能承受雪崩状态下的高能量。该ATM06P50TC适用于负载开关等应用。

商品特性

  • VDS = -20V,ID = -4A
  • \mathsfRDS(ON) < 36mΩ,\mathsf@\mathsfVGS = -4.5\mathsfV
  • RDS(ON) < 49mΩ,@ VGS = -2.5V
  • 静电放电等级:2500V 人体模型(HBM)

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF