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ATM06P50TC实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM06P50TC

P沟道增强型场效应晶体管

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描述
ATM06P50TC是一款P沟道功率MOSFET,采用先进技术,为客户提供高开关速度和极低的导通电阻,还能承受雪崩状态下的高能量。这款ATM06P50TC适用于负载开关等应用。
商品型号
ATM06P50TC
商品编号
C5379125
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
2.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,17A
耗散功率(Pd)113W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)5.47nF@30V
反向传输电容(Crss)346pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)542pF

数据手册PDF

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