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ATM06P50TC
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- ATM06P50TC是一款P沟道功率MOSFET，采用先进技术，为客户提供高开关速度和极低的导通电阻，还能承受雪崩状态下的高能量。这款ATM06P50TC适用于负载开关等应用。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM06P50TC
- 商品编号
- C5379125
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 346pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 542pF |
商品概述
AGM60P20AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 高开关速度
- RDS(ON)< 15 m Ω@VGS=-10 V, ID=-17 A
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器